Công nghệ đầu đọc mới cho ổ cứng do Toshiba và đại học Tohoku (Nhật Bản) phát triển sẽ tăng mật độ lưu dữ liệu lên 1 terabit/ inch vuông, so với 178,8 gigabit/ inch vuông hiện nay, khiến dung lượng ổ cỡ 3,5 inch tăng lên tới 5 terabyte.
Kỹ thuật Nanocontact Magnetic Resistance tăng khả năng từ trở của đầu đọc gấp 2 lần, nghĩa là năng lực phát hiện sự thay đổi của trường điện từ sẽ cao hơn. Khác biệt lớn của từ trở nằm ở 2 vật liệu từ đặt sát nhau và nối với nhau bằng một điểm liên kết có kích cỡ 1 nanomét ở khoảng cách gần nhất.
Hiện nay các hãng như Toshiba, Seagate đang phát triển công nghệ ghi trực giao với mật độ lưu dữ liệu 150 gigabit/inch vuông. Còn công nghệ ghi trợ nhiệt HAMR được hy vọng đạt tới 50 terabit/inch vuông vào năm 2019. Lúc đó, về mặt lý thuyết, các hãng có thể sản xuất được ổ 40 - 50 terabyte cỡ 2,5 inch.
Theo hãng nghiên cứu thị trường IDC, ngành công nghiệp ổ cứng năm 2011 sẽ tăng năng lực xuất xưởng gấp 4 lần so với 2006. Số lượng sản phẩm bán ra lúc đó sẽ đạt 675 triệu chiếc và doanh thu sẽ là 37 tỷ USD.