DRAM nhanh nhất thế giới đạt tốc độ 800 MHz

Sản phẩm mà hãng bán dẫn Hàn Quốc Hynix vừa giới thiệu là thiết bị đầu tiên trên thế giới được chế tạo theo công nghệ 60 nm (nanomét). Kỹ thuật này cho phép giảm giá DRAM 1 Gb tới 50% so với công nghệ 80 nm.

Bộ nhớ nói trên sử dụng các công nghệ "transistor 3 chiều" và "kim loại 3 lớp", chạy nhanh, hỗ trợ truyền tải dữ liệu tốc độ mạnh và tăng cường công suất lư trữ.

Quy trình sản xuất mới sẽ được triển khai đại trà vào nửa đầu năm tới và Hynix dự định tiếp tục nâng cấp để ứng dụng cho các linh kiện DRAM mật độ lưu trữ cao hơn trong tương lai, bên cạnh những sản phẩm hiệu suất cao như DRAM cho đồ họa và cho thiết bị di động.

Theo Xinhua, VnExpress
Danh mục

Công nghệ mới

Phần mềm hữu ích

Khoa học máy tính

Phát minh khoa học

AI - Trí tuệ nhân tạo

Khám phá khoa học

Sinh vật học

Khảo cổ học

Đại dương học

Thế giới động vật

Khoa học vũ trụ

Danh nhân thế giới

Ngày tận thế

1001 bí ẩn

Chinh phục sao Hỏa

Kỳ quan thế giới

Người ngoài hành tinh - UFO

Trắc nghiệm Khoa học

Khoa học quân sự

Lịch sử

Tại sao

Địa danh nổi tiếng

Hỏi đáp Khoa học

Y học - Sức khỏe

Môi trường

Bệnh Ung thư

Ứng dụng khoa học

Câu chuyện khoa học

Công trình khoa học

Sự kiện Khoa học

Thư viện ảnh

Video