Các con chip cấy ghép vào não do Phòng Dự án Cao cấp DARPA của Bộ Quốc phòng Mỹ phát triển có thể giúp các cựu chiến binh Mỹ hồi phục chức năng ghi nhớ của bộ não sau chấn thương.
Phòng Dự án Cao cấp DARPA của Bộ Quốc phòng Mỹ đã chính thức tài trợ cho dự án chế tạo chip cấy não có tên Restoring Active Memory (RAM – Hồi phục Bộ nhớ Kích hoạt) do Đại học California và Đại học Pennsylvania phối hợp thực hiện. Mục đích của dự án này là nhằm hồi phục chức năng ghi nhớ cho các cựu chiến binh bị chấn thương não.
Từ năm 2000 tới nay đã có khoảng 270.000 quân nhân Mỹ và 1,7 triệu người dân Mỹ bị chấn thương não. Những người này không thể ghi nhớ những sự kiện xảy ra trước khi bị chấn thương não. Hiện tại, chưa có biện pháp điều trị hiệu quả nào cho hội chứng này cả.
Hai trường Đại học California và Pennsylvania sẽ cùng phát triển các mô hình máy tính về cách hình thành ký ức của các tế bào thần kinh. Các nhà khoa học sẽ nghiên cứu các tín hiệu thần kinh để kiểm chứng xem liệu các quá trình giả lập có giúp tái tạo chức năng ghi nhớ của bộ não hay không.
Các con chip cấy ghép vào não do Phòng Dự án Cao cấp DARPA của Bộ Quốc phòng Mỹ phát triển có thể giúp các cựu chiến binh Mỹ hồi phục chức năng ghi nhớ của bộ não sau chấn thương.
Đại học Kansas và đại học Case Western đã từng tái tạo thành công trí nhớ của chuột theo cách tương tự
Cụ thể hơn, các nhà nghiên cứu sẽ sử dụng dữ liệu thu thập từ các bệnh nhân động kinh đã được cấy ghép điện cực vào não để tạo ra mô hình cho vùng não chịu trách nhiệm ghi nhớ ký ức. Sau đó, hệ thống máy tính sẽ ghi lại dữ liệu từ não của các bệnh nhân phẫu thuật não khi họ chơi các game tái tạo trí nhớ.
Mô hình của hai trường đại học sẽ được kết hợp để tạo ra một hệ thống thống nhất. Mục đích của dự án RAM là lấy tín hiệu thần kinh từ vùng não hoạt động bình thường, tách biệt chúng ra khỏi vùng não đã bị tổn thương để tạo ra một sợi dây liên kết có khả năng hoạt động không kém gì não thường.
Dự kiến, dự án tham vọng này của Lầu Năm Góc và 2 trường đại học trên sẽ kéo dài trong vòng 4 năm.